三星宣布成功完成 8 納米 5G 射頻解決方案開發：功率效率提高 35% _納米

三星官方網站今天宣布，該公司已經推出了基于《巴納米技術》的最新射頻技術。

三星表示，這項先進的工藝技術有望提供專門支持多通道和多天線芯片設計的5G通信芯片解決方案。三星的8納米射頻平臺將該公司在5G半導體市場的領導地位從Sub-6GHz頻帶擴展到毫米波。

三星的 8 納米射頻工藝技術是對目前已經廣泛使用的包括 28 納米和 14 納米在內的射頻相關解決方案的最新補充。自 2017 年以來，三星為高端智能手機出貨了超過 5 億顆移動終端射頻芯片。

通過卓越的創新和工藝制造，我們加強了新一代無線通信產品。三星電子代理技術開發團隊負責人Hyung，Jin，Lee 。伴隨著5G毫米波的擴展，在緊湊型移動端上尋求更長的電池壽命和優良的信號質量的顧客，三星8納射頻將是一個很好的解決方案。

隨著向先進節點的不斷擴展，數字電路在性能、功耗、面積（PPA）方面得到了顯著改善，而模擬U/A射頻模塊由于退化寄生效應（如窄線寬帶來的阻力增加）沒有得到這樣的改善。因此，大多數通信芯片傾向于射頻特性退化，如接收頻率放大、性能老化和功耗增加。

為了克服模擬/射頻擴展的挑戰，三星開發了獨特的8納米射頻專用體系結構，被稱為RFextremeFET專用體系，顯著改善射頻特性，同時降低功耗。與14納米射頻相比，三星的RFeFET補充了數字PPA的擴展，同時恢復了模擬/射頻的擴展，實現了高性能5G的擴展平臺。

【三星宣布成功完成 8 納米 5G 射頻解決方案開發：功率效率提高 35%】三星在新聞稿上寫道，三星的工藝優化最大限度地提高了通道的移動性，同時最大限度地減少了寄生效果。由于RFeFET的性能大幅度提高，射頻芯片的晶體管總數和模擬，可以減少射頻塊的面積。與14納米射頻相比，由于采用了RFeFET架構的創新，三星的8納米射頻技術提高了35%的效率，射頻芯片面積減少了35% 。