SK Hynix量產(chǎn)3D NAND，還有16nm TLC閃存 _閃存

在四大NAND巨頭中，三星在2014年占據(jù)了全球SSD市場的主導(dǎo)地位，英特爾、SanDisk、Micron和東芝也位列前五，sk海力士排名第十，SSD收入低于希捷和西部數(shù)字。不僅是閃存，在內(nèi)存行業(yè)，SK海力士也是被三星遠遠甩在后面。現(xiàn)在SK海力士準(zhǔn)備努力了。今年將量產(chǎn)16納米制程的36層堆疊式3DNAND閃存和TLC閃存，DRAM內(nèi)存也將加速后10納米制程。

雖然別人有技術(shù)優(yōu)勢，SK海力士有秘密武器(火) 。

三星在過去兩年中NAND和DRAM的較高份額主要是由技術(shù)驅(qū)動的。去年，三星率先采用V-NAND技術(shù)量產(chǎn)3D閃存，除三星外的其他公司要到今年才會開始生產(chǎn) 。SK海力士表示，他們?nèi)ツ瓿晒ρ邪l(fā)了24層的3D閃存，今年準(zhǔn)備量產(chǎn)3D閃存。他們將首次大規(guī)模生產(chǎn)36層的3D閃存。今年年底，他們還將準(zhǔn)備批量生產(chǎn)48層的3D閃存。

【SK Hynix量產(chǎn)3D NAND，還有16nm TLC閃存】 三星量產(chǎn)的V-NAND閃存是32層堆棧，但也準(zhǔn)備在今年下半年量產(chǎn)48層堆棧。英特爾/Micron宣布的3DNAND閃存也是32層堆棧，更多堆棧正在研究中。東芝和SanDisk也在日本Yokkaichi建立了Fab2工廠，預(yù)計3D閃存要到2016年才能量產(chǎn) 。

除了3D閃存外，SK海力士還將繼續(xù)強化傳統(tǒng)平板閃存，即將推出16nmTLC閃存，并在今年年底前將TLC閃存容量提升至Q2的10%和40% 。此外，在第三季度，他們將推出具有16納米TLC閃存的SSD，并將TLCSSD的比例提高到20-30% 。

內(nèi)存方面，三星20nm工藝已經(jīng)量產(chǎn)，SK海力士需要不斷升級產(chǎn)品。位于韓國京畿道利川市的M14 DRAM晶圓廠已進入收尾階段，半導(dǎo)體設(shè)備已備貨。預(yù)計從年底開始運營。一旦投產(chǎn)，其產(chǎn)能將達到每月15000片晶圓。

不過SK海力士在技術(shù)上還是有點落后，預(yù)計要到明年6月才能提供后10納米工藝的DRAM樣品，而三星則準(zhǔn)備量產(chǎn)后10納米工藝的DRAM內(nèi)存。