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1、內(nèi)存時序(英語:Memory timings或RAM timings)是描述同步動態(tài)隨機(jī)存取存儲器(SDRAM)性能的四個參數(shù):CL、TRCD、TRP和TRAS,單位為時鐘周期 。
【內(nèi)存時序是什么 內(nèi)存時序啥意思】2、它們通常被寫為四個用破折號分隔開的數(shù)字,例如7-8-8-24 。第四個參數(shù)(RAS)經(jīng)常被省略,而有時還會加入第五個參數(shù):Command rate(命令速率),通常為2T或1T , 也寫作2N、1N 。這些參數(shù)指定了影響隨機(jī)存取存儲器速度的潛伏時間(延遲時間) 。較低的數(shù)字通常意味著更快的性能 。決定系統(tǒng)性能的最終元素是實際的延遲時間 , 通常以納秒為單位 。
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