10/7nm工藝雖好，但Intel并不急于下手 _工藝

英特爾和三星今年的主流工藝技術(shù)是14納米FinFET，TSMC也將在下半年量產(chǎn)16納米FinFET 。此外，他們正在密切關(guān)注下一代10納米技術(shù)，預(yù)計將于2017年進行大規(guī)模生產(chǎn) 。目前英特爾并不著急，10納米制程的制造設(shè)備安裝時間已經(jīng)延后。雖然英特爾一直在不同場合宣傳未來10nm甚至7nm工藝對提高晶體管密度、降低成本有多好，但英特爾本身并不著急，新的工藝投入還是太貴了。

【10/7nm工藝雖好，但Intel并不急于下手】 按照原計劃，英特爾應(yīng)該在今明兩年進入10nm節(jié)點，但14nm工藝去年延期過一次，英特爾原計劃今年3月在以色列的晶圓廠安裝10nm工藝制造設(shè)備，但現(xiàn)在設(shè)備安裝計劃推遲到12月。

更先進的技術(shù)意味著更高的晶體管密度，這將帶來更高的性能和更低的成本。但是先進技術(shù)的投入也達到幾十億甚至幾十億美元，前期的資金投入也是一個沉重的負擔(dān) 。在昨日的財報發(fā)布會上，Intle高管表示，“通過前期對14nm、10nm和7nm的研究，晶體管密度的提升將抵消每平方英寸晶圓的資金投入影響。”

首席執(zhí)行官柯在奇也表示，在10納米工藝下，晶圓的資本投資成本會增加，但不會像晶體管密度那樣增加。然而，英特爾公司拒絕給出10納米工藝的預(yù)期時間，并拒絕回應(yīng)前述10納米制造設(shè)備安裝延遲的報道。這只是表明10納米工藝是未來的事情，一切都在按計劃進行。