在臺(tái)積電 2021 線上技術(shù)研討會(huì)期間 ， 高級(jí)運(yùn)營(yíng)副總裁 YP Chin 披露了與該公司芯片制造能力相關(guān)的重要進(jìn)展 。據(jù)悉 ， 目前臺(tái)積電擁有全球?qū)⒔话氲臉O紫外光刻（EUV）機(jī)器 ， 并且承擔(dān)了全球先進(jìn)硅晶圓制程的半數(shù)以上產(chǎn)能 。此外 ， YP Chin 還介紹了臺(tái)積電的 3nm 和 2nm 制造設(shè)施 ， 以及規(guī)劃中的美國(guó)亞利桑那州園區(qū)的最新進(jìn)展 。
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資料圖（來(lái)自：TSMC）
會(huì)上 ， YP Chin 首先強(qiáng)調(diào)了臺(tái)積電的先進(jìn)制程產(chǎn)能有望保持 30% 的復(fù)合年增長(zhǎng)率（CAGR） ， 并且從 16nm 和 7nm 一路介紹到了當(dāng)前最新的 5nm 工藝 。
按照計(jì)劃 ， 臺(tái)積電有望在 2021 年底將 N7 產(chǎn)能提升至 2018 年的四倍 ， 且 N5 產(chǎn)能也將較去年翻一番 。展望到 2023 年 ， 該公司還致力于將 N5 產(chǎn)能翻至去年的四倍 。
除了 N7 和 N5 ， 臺(tái)積電還展望了 N6 和 N4 等工藝 。雖然 N4 工藝仍處于早期階段 ， 但 7nm（N7 和 N6）工藝的缺陷密度已經(jīng)有所下降 。
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臺(tái)積電 N5 / N4 缺陷密度
TSMC 高級(jí)研發(fā)副總裁米玉杰表示 ， N4 風(fēng)險(xiǎn)試產(chǎn)將于 2021 年晚些時(shí)候開(kāi)啟 。此外 YP Chin 在主題演講期間分享了有關(guān)臺(tái)積電產(chǎn)能的關(guān)鍵統(tǒng)計(jì)數(shù)據(jù) 。
據(jù)悉 ， 為減少整體缺陷 ， 現(xiàn)代芯片制造所需的電路尺寸縮小 ， 嚴(yán)重依賴于使用更短波長(zhǎng)光線的機(jī)器 。比如臺(tái)積電的 N5 工藝 ， 就使用了更多的極紫外光刻（EUV）層 。
目前臺(tái)積電已經(jīng)部署了全球近半的 EUV 光刻機(jī) ， 同時(shí)承擔(dān)了全球 65% 的先進(jìn)半導(dǎo)體晶圓出貨量（2020 上半年的 EUV 晶圓產(chǎn)能占到了 60%） 。
【TSMC|高管披露臺(tái)積電占據(jù)EUV領(lǐng)先份額 2nm晶圓工廠將在新竹開(kāi)建】
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臺(tái)積電計(jì)劃進(jìn)一步增加 EUV 掩膜的用量
作為芯片制造中不可或缺的一環(huán) ， 當(dāng)在硅鏡片上刻印電路的時(shí)候 ， 掩膜能夠保護(hù)成品免受雜志或任何污染而導(dǎo)致的缺陷 。
對(duì)于臺(tái)積電來(lái)說(shuō) ， 該公司也計(jì)劃在 2021 年底前將 EUV 掩膜的產(chǎn)能翻番、延長(zhǎng)壽命、同時(shí)降低成本 ， 而上一代深紫外光刻（DUV）產(chǎn)線也將受益于此 。
接著 ， YP Chin 概述了下一代 3nm 工藝和 N2 節(jié)點(diǎn)的計(jì)劃 ， 其中臺(tái)南 Fab 18 工廠可在 5 / 6 / 7 / 8 階段負(fù)責(zé) N3 生產(chǎn) ， 且該工廠可在 4 階段擴(kuò)大現(xiàn)有的 N5 產(chǎn)能 ， 以確保實(shí)現(xiàn)長(zhǎng)期目標(biāo) 。
最后 ， 他證實(shí)臺(tái)積電將在新竹市新建一座 Fab 20 工廠 ， 以承擔(dān) 2nm 系列工藝的半導(dǎo)體生產(chǎn) 。盡管當(dāng)前仍在忙著征地 ， 但該公司已經(jīng)為 Fab 20 工廠的初期生產(chǎn)規(guī)劃了四個(gè)階段 。
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