飽和光電流的決定因素

飽和電流只與入射光的強(qiáng)度有關(guān)，與外加電壓無任何關(guān)系，我們也從不強(qiáng)調(diào)飽和電流與入射光頻率的關(guān)系。我們只在談遏止電壓與截止頻率時(shí)才談?lì)l率問題，入射光越強(qiáng)，單位時(shí)間內(nèi)發(fā)射的光電子數(shù)越多。
【飽和光電流的決定因素】當(dāng)入射光頻率不變時(shí)，飽和光電流的值與入射光強(qiáng)度成正比。原因很簡單，入射光強(qiáng)度與單位時(shí)間照射到金屬上的光子數(shù)成正比。光子數(shù)的變化導(dǎo)致單位時(shí)間內(nèi)吸收光子的電子數(shù)變化，故飛出的光電子數(shù)變化，導(dǎo)致電流的變化。
當(dāng)入射光強(qiáng)度不變時(shí)，飽和光電流隨入射光頻率的增大而增大。這個(gè)理解起來比較難。可以這么想:光強(qiáng)不變，單位時(shí)間內(nèi)有10個(gè)光子被電子吸收，吸收后所形成的10個(gè)光電子并不是全部從金屬表面飛出。靠近金屬表面的電子受到金屬內(nèi)原子核的束縛比較弱，故很容易飛出，但內(nèi)部的就不一定，所以，這10個(gè)電子可能只有6個(gè)能飛出金屬形成光電流。如果在入射光強(qiáng)度不變的情況下增大入射光的頻率，雖然還是有10個(gè)光子被10個(gè)電子吸收形成光電子，但這10個(gè)光電子的能量比較大，所以，能夠脫離金屬內(nèi)原子核束縛的能力比較強(qiáng) 。這樣，可能就會(huì)有8個(gè)電子能飛出金屬形成光電流，這樣的話，很顯然飽和光電流會(huì)增大。

飽和光電流的決定因素

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