為什么HCLO的氧化性比HCLO3強(qiáng)結(jié)構(gòu)上的原因是什么
【為什么HCLO的氧化性比HCLO3強(qiáng)結(jié)構(gòu)上的原因是什么】HClO和HClO3中氯原子皆為sp3雜化,空間電子云分布呈正四面體,HClO中氯原子的3個(gè)雜化軌道被填滿,剩下一個(gè)與sp3雜化的氧原子的一個(gè)軌道重疊,電子云密度更接近氧原子,從而使氯原子更容易得到電子對(duì)被氧化,或者鍵斷裂形成自由基,由此具有強(qiáng)氧化性 。HClO3中氯原子有2個(gè)滿電子的雜化軌道用來(lái)填補(bǔ)2個(gè)氧原子的空雜化軌道,軌道為空所以能級(jí)更高,更不穩(wěn)定,由此亦具有強(qiáng)氧化性,但是跟HClO相類似的那根HOCl中氧原子和氯原子之間的鍵,由于氯原子受其余兩個(gè)氧原子的吸電影響,此鍵的電子云密度更傾向于氯原子,從而使這個(gè)鍵跟HClO相比不那么容易被拆成自由基 。根據(jù)實(shí)驗(yàn)結(jié)果HClO氧化性更強(qiáng),應(yīng)該是氯氧鍵活性比氯氧雙鍵更高,更體現(xiàn)出氧化性 。
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