IGBT是 "Insulated Gate Bipolar Transistor"的首字母縮寫,也被稱作絕緣柵雙極晶體管 。
IGBT被歸類為功率半導(dǎo)體元器件晶體管領(lǐng)域 。
功率半導(dǎo)體元器件的特點除了IGBT外,功率半導(dǎo)體元器件(晶體管領(lǐng)域)的代表產(chǎn)品還有MOSFET、BIPOLAR等,它們主要被用作半導(dǎo)體開關(guān) 。
根據(jù)其分別可支持的開關(guān)速度,BIPOLAR適用于中速開關(guān),MOSFET則適用于高頻領(lǐng)域 。
IGBT是輸入部為MOSFET結(jié)構(gòu)、輸出部為BIPOLAR結(jié)構(gòu)的元器件,通過這兩者的復(fù)合化,既是使用電子與空穴兩種載體的雙極元件,同時也是兼顧低飽和電壓(與功率MOSFET的低導(dǎo)通電阻相當(dāng))和較快的開關(guān)特性的晶體管 。
盡管其具有較快的開關(guān)特性,但仍比不上功率MOSFET,這是IGBT的弱點 。
【功率元器件的基本結(jié)構(gòu)與特點】
MOSFETBIPOLAR
IGBT
基本結(jié)構(gòu)

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控制
柵極電壓
【什么是IGBT?IGBT絕緣柵雙極晶體管的基本結(jié)構(gòu)與特點】基極電流
柵極電壓
容許電流
?
△
○
開關(guān)
○
?
△
導(dǎo)通電阻
?
△
○
MOSFET是指半導(dǎo)體元件的結(jié)構(gòu)為Metal(金屬)- Oxide(半導(dǎo)體氧化物)- Semiconductor(半導(dǎo)體)的三層結(jié)構(gòu)的Field-Effect Transistor(場效應(yīng)晶體管) 。BIPOLAR是指使用了雙極性元件,將稱為p型和n型的兩種半導(dǎo)體構(gòu)成n-p-n及p-n-p結(jié)構(gòu)的電流工作型晶體管 。
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