華為公開 “石墨烯場效應晶體管”專利，涉半導體領域
3月30日消息，企業調查App顯示，最近華為技術有限公司公開了石墨烯場效應晶體管專利，公開號碼為巴克N11032326B 。
專利摘要顯示，該申請提供石墨烯場效應晶體管，涉及半導體技術領域，提高設備輸出電阻，提高開關比，實現更好的射頻性能 。石墨烯場效應晶體管包括襯底、第一格柵電極、第二格柵電極、第一格柵介質層、第二格柵介質層、槽層、源電極和漏電極 。
【華為公開 “石墨烯場效應晶體管”專利，涉半導體領域】另外，槽層的材料包括AB堆積雙層石墨烯或AB堆積多層石墨烯，第一柵極電極和第一柵極介質層設置在槽層的一側，第二柵極電極和第二柵極介質層設置在槽層的另一側，第一柵極電極包括多個間隔設置的第一子電極和第一連接子電極
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