TSMC 臺(tái)積電披露3nm功耗與性能增益 2nm設(shè)計(jì)將更具潛力臺(tái)積電披露3nm功耗與性能增益

作為業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的半導(dǎo)體制造商，臺(tái)積電（TSMC）剛剛分享了有關(guān)新一代制程節(jié)點(diǎn)的更多細(xì)節(jié) 。在今天早些時(shí)候的 2021 線上技術(shù)研討會(huì)期間，臺(tái)積電研發(fā)高級(jí)副總裁米玉杰（Y.J. Mii）博士陸續(xù)介紹了 N6、N5、N4 和 N3 工藝節(jié)點(diǎn)的最新規(guī)劃。除了晶圓工藝的密度，我們還得知了有關(guān)不同制造節(jié)點(diǎn)的產(chǎn)能和推出時(shí)間表。

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資料圖（來(lái)自：TSMC）
首先，米玉杰強(qiáng)調(diào)了臺(tái)積電在 2020 年大幅增加了研發(fā)支出和員工人數(shù)，并達(dá)到了創(chuàng)紀(jì)錄的新水平。且自 2017 年首推 7nm 工藝以來(lái)，相關(guān)芯片的出貨量已經(jīng)超過(guò)了 10 億顆。
事實(shí)證明，7nm 節(jié)點(diǎn)對(duì) AMD 有著至關(guān)重要的影響，后者的 CPU 和 GPU 都屬于率先采用 N7 工藝的產(chǎn)品之一，并助其與競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手英特爾展開(kāi)了激烈的市場(chǎng)交鋒。

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臺(tái)積電 N3 工藝得到了業(yè)內(nèi)的強(qiáng)力支持
至于 N3 工藝節(jié)點(diǎn)，臺(tái)積電宣稱(chēng)與 N5 一代相比，3nm 將帶來(lái)性能和功耗上的更佳表現(xiàn) 。目前該公司已經(jīng)開(kāi)啟了 5nm 芯片的量產(chǎn)，緊隨其后的還有 N4。
【TSMC|臺(tái)積電披露3nm功耗與性能增益 2nm設(shè)計(jì)將更具潛力】米玉杰表示，N4 工藝將繼續(xù)把芯片尺寸收縮 6%，同時(shí)帶來(lái)功耗和性能上的進(jìn)一步改善。比如與 FinFET 晶體管（下圖紅線）相比，Nanosheet（下圖藍(lán)線）能夠?qū)崿F(xiàn)更嚴(yán)格的閾值電壓（Vt）控制。

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閾值電壓（Vt）對(duì)比
據(jù)悉，Vt 特指半導(dǎo)體電路工作所需的最小電壓，即使是最輕微的變化，也會(huì)對(duì)芯片的設(shè)計(jì)造成束縛、并導(dǎo)致性能的下降。慶幸的是，臺(tái)積電設(shè)法取得了 15% 的領(lǐng)先優(yōu)勢(shì) 。
雖然沒(méi)有明確地將這方面的研發(fā)進(jìn)展與 2nm 工藝聯(lián)系起來(lái)，但我們還是對(duì)臺(tái)積電后續(xù)的工藝發(fā)展充滿(mǎn)了期待。

TSMC 臺(tái)積電披露3nm功耗與性能增益 2nm設(shè)計(jì)將更具潛力

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